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MMDTD141W

更新时间： 2024-11-21 14:54:43

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数字三极管

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MMDTD141W 数据手册

MMDTD141W

NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Collector

(Output)

Features

• built-in bias resistors, R1 = R2 = 10 KΩ

Base

(Input)

• Simplify circuit design

• Reduces component count

Emitter

(Common)

Applications

• Switching loads

• IC inputs control

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

500

Power Dissipation

P_tot

T_j

200

Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 22/12/2022 Rev: 01

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