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MMDTX141DE

更新时间： 2024-11-07 14:54:11

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数字三极管

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MMDTX141DE 数据手册

MMDTX141DE

Complementary NPN/PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

For switching and interface circuit and drivecircuit applications

Features

• With Built-in bias resistors

• Simplify circuit design

TR2

TR1

• Reduce a quantity of parts and manufacturing process

1.Emitter 2.Base 3.Collector

4.Emitter 5.Base 6.Collector

SOT-563 Plastic package

Resistor Values

R1 (KΩ)

R2 (KΩ)

Absolute Maximum Ratings at T_a= 25

(TR1)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Input Voltage

V_CBO

V_CEO

V_IN

30 to -10

100

Collector Current

I_C

Absolute Maximum Ratings at T_a= 25

(TR2)

Parameter

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

V_IN

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Input Voltage

-30 to 10

100

Collector Current

-I_C

Absolute Maximum Ratings at T_a= 25

(TR1 and TR2)

Parameter

Symbol

P_tot

Value

200

Unit

Total Power Dissipation

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

Junction Temperature

R_θJA

T_j

625

150

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 27/04/2023 Rev: 03

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