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MMDTD427

更新时间： 2024-09-17 14:53:55

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数字三极管

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MMDTD427 数据手册

MMDTD220~MMDTD427

NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistors

Features

Collector

(Output)

• With built-in bias resistors

• Simplify circuit design

Base

(Input)

• Reduce a quantity of parts and

manufacturing process

Emitter

(Common)

1.Base 2.Emitter 3.Collecter

SOT-23 Plastic Package

Applications

• For switching, interface circuit and drive circuit

applications

Resistor Values

Type

R1 (KΩ)

0.22

0.47

0.22

0.47

R2 (KΩ)

MMDTD228

MMDTD427

MMDTD220

MMDTD420

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

V_CBO

V_CEO

-5 to +6

MMDTD228

MMDTD427

MMDTD220

MMDTD420

Emitter Base Voltage

V_EBO

Collector Current

I_C

P_tot

T_j

500

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

200

150

T_Stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Value

625

Unit

Thermal Resistance Junction to Ambient¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 PCB with minimum recommended pad layout.

1 / 4

Dated：25/03/2022 Rev：01

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