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MMDTX141EW

更新时间： 2024-11-07 14:51:07

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数字三极管

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MMDTX141EW 数据手册

MMDTX141EW

Complementary NPN/PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Features

TR2

TR1

• Built-in bias resistors

R1=R2=10KΩ

• Ideal for power switch circuits

TR1: 1. Emitter 2. Base 5. Collector

TR2: 3. Emitter 5. Base 4. Collector

SOT-353 Plastic package

Absolute Maximum Ratings at T_a= 25

(TR1)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Input Voltage

V_CBO

V_CEO

V_IN

I_C

- 10 to + 40

Collector Current

Peak Collector Current

Power Dissipation

I_CM

P_D

100

150

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Absolute Maximum Ratings at T_a= 25

(TR2)

Parameter

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

V_IN

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Input Voltage

- 40 to + 10

Collector Current

-I_C

Peak Collector Current

Power Dissipation

-I_CM

P_D

100

150

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics (TR1/TR2)

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

833

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated：26/09/2023 Rev: 03

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