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MMDTD234

更新时间: 2024-11-07 14:55:51
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描述
数字三极管

MMDTD234 数据手册

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MMDTD234  
NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor  
Collector  
(Output)  
Features  
R1  
Base  
(Input)  
• With built-in bias resistors  
• Simplify circuit design  
R2  
• Reduce a quantity of parts and  
manufacturing process  
1.Base 2.Emitter 3.Collector  
SOT-23 Plastic Package  
Emitter  
(Common)  
Applications  
• For switching and interface circuit and drive circuit  
O
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector Base Voltage  
Collector Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
Collector Current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
50  
50  
V
V
- 5 to + 12  
500  
V
mA  
mW  
Power Dissipation  
Ptot  
Tj  
200  
O
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
150  
C
O
Tstg  
- 55 to + 150  
C
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Max.  
625  
Unit  
/W  
Thermal Resistance from Junction to Ambient 1)  
1) Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.  
®
1 / 4  
Dated : 05/05/2022 Rev:03  

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