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MMDT8150L-AL6-R

更新时间： 2024-01-14 18:09:08

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LOW VCESAT NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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MMDT8150L-AL6-R 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

MMDT8150

Preliminary

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

LOW VCESAT NPN EPITAXIAL

PLANAR TRANSISTOR

DESCRIPTION

The UTC MMDT8150 is a Dual NPN epitaxial planar transistor. It

has low V_CE(SAT)performance and the transistor elements are

independent to eliminate interference.

FEATURES

* Low V_CE(SAT), V_CE(SAT)=40mV (typ.)@I_C/ I_B= 50mA / 2.5mA

* Transistor elements are independent to eliminate interference.

* Mounting cost and area can be cut in half.

EQUIVALENT CIRCUIT

Tr1

Tr2

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Lead Free

Package

SOT-363

Packing

Halogen Free

MMDT8150G-AL6-R

MMDT8150L-AL6-R

Tape Reel

MMDT8150L-AL6-R

(1) R: Tape Reel

(1)Packing Type

(2)Package Type

(3)Lead Free

(2) AL6: SOT-363

(3) Halogen Free, L: Lead Free

MARKING

T81

G: Halogen Free

L: Lead Free

www.unisonic.com.tw

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QW-R218-017.a

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