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MMDTA141EEW

更新时间： 2023-12-06 20:09:43

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数字三极管

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MMDTA141EEW 数据手册

MMDTA141EEW

Dual PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Features

• Built-in resistor R1 = R2 = 10 K

TR1

TR2

TR1: 1.Base 2.Emitter 5. Collector

TR2: 2.Emitter 3.Base 4.Collector

SOT-353 Plastic package

Absolute Maximum Ratings at T_a= 25

Parameter

Collector Base Voltage

Symbol

Value

Unit

-V_CBO

-V_CEO

V_IN

Collector Emitter Voltage

Input Voltage

-40 to 10

Collector Current

-I_C

Peak Collector Current

Power Dissipation

-I_CM

P_D

100

150

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

Symbol

R_θJA

Max.

833

Unit

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 4

Dated: 16/05/2023 Rev: 03

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