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MMDTA141FD

更新时间: 2024-11-16 14:53:11
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先科 - SWST /
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4页 669K
描述
数字三极管

MMDTA141FD 数据手册

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MMDTA141FD  
Dual PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor  
6
5
4
TR1  
TR2  
1
2
3
1. Collector 2. NC 3. Collector  
4. Base 5. Common-Emitter 6. Base  
SOT-26 Plastic Package  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25  
(TR1 and TR2)  
Parameter  
Symbol  
-VCBO  
-VCEO  
VIN  
Value  
50  
Unit  
V
Collector Base Voltage  
Collector Emitter Voltage  
Input Voltage  
50  
V
- 40 to + 10  
100  
V
Collector Current  
-IC  
mA  
mW  
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Ptot  
300  
Tj  
150  
Tstg  
- 55 to + 150  
Thermal Characteristics (TR1/TR2)  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Max.  
417  
Unit  
/W  
Thermal Resistance from Junction to Ambient 1)  
1) Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.  
®
1 / 4  
Dated: 23/08/2023 Rev:02  

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