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MMDTA114W

更新时间： 2023-12-06 20:11:21

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数字三极管

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MMDTA114W 数据手册

MMDTA114W

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

Collector

(Output)

Features

Base

• Built-In Biasing Resistors, R₁≠ R₂

(Input)

Emitter

(Common)

1. Base 2. Emitter 3. Collector

SOT-323 Plastic Package

Resistor Value

R₁(KΩ)

R₂(KΩ)

4.7

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Emitter Base Voltage

-V_EBO

-I_C

- 10 to + 30

100

Collector Current

Peak Collector Current

Power Dissipation

Thermal Resistance from Juntion to Ambient ¹⁾

-I_CM

P_tot

R_θJA

T_j

100

200

625

℃/W

Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

- 55 to + 150

T_stg

¹⁾Mounted on FR4 PC Board with recommended pad .

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

DC Current Gain

h_FE

-I_CBO

-I_EBO

-V_CE(sat)

-V_I(on)

-V_I(off)

f_T

µA

at -V_CE= 5 V, -I_C= 10 mA

Collector Base Cutoff Current

at -V_CB= 50 V

0.5

880

0.3

Emitter Base Cutoff Current

at -V_EB= 5 V

Collector Emitter Saturation Voltage

at -I_C= 50 mA, -I_B= 2.5 mA

Input on Voltage

at -V_CE= 0.3 V, -I_C= 2 mA

Input off Voltage

0.8

at -V_CE= 5 V, -I_C= 100 µA

Transition frequency

250

MHz

at -V_CE= 10 V, I_E= 5 mA, f = 100 MHz

Input Resistance

Resistance Ratio

R₁

- 30

- 20

+ 30

+ 20

R₂/ R₁

Dated: 24/01/2019 Rev: 01

12 3

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