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MMDTA114EE

更新时间： 2024-11-16 14:53:23

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数字三极管

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MMDTA114EE 数据手册

MMDTA114EE

PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

for switching and interface circuit and drive circuit

applications

Collector

(Output)

Base

(Input)

Features

• With built-in bias resistors

• Simplify circuit design

• Reduce a quantity of parts and

manufacturing process

Emitter

(Common)

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

-V_CEO

V_EBO

-I_C

Value

Unit

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

- 40 to + 10

100

Total Power Dissipation

P_tot

150

Junction Temperature

T_j

150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

833

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

℃/W

1 / 4

Dated: 17/03/2022 Rev: 02

12 3 4

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