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MMDTA115EE

更新时间： 2023-12-06 20:09:55

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MMDTA115EE 数据手册

MMDTA115EE

PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Collector

(Output)

Base

(Input)

Features

• With built-in bias resistors

• Simplify circuit design

Emitter

(Common)

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Collector Current

-V_CBO

-V_CEO

-I_C

100

Total Power Dissipation

P_tot

200

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j,T_stg

- 55 to + 150

℃

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 4

Dated: 22/04/2022 Rev: 02

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