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MMDTA234

更新时间： 2024-09-09 14:54:43

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数字三极管

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MMDTA234 数据手册

MMDTA234

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

for high current switching, interface circuit and driver

circuit application.

Collector

(Output)

Feature

Base

(Input)

• With built-in bias resistor

• Simplify circuit design

• Reduce a quantity of parts and manufacturing

process

SOT-23 Plastic Package

• High output current

Emitter

(Common)

Resistance Values

Type

R1 (KΩ)

R2 (KΩ)

MMDTA234

2.2

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

Value

Unit

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

- 6 to + 12

800

Collector Current ¹⁾

Total Power Dissipation

P_tot

200

Junction Temperature

T_j

150

Storage Temperature Range

T_Stg

- 55 to + 150

¹⁾tp = 1mS.

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

h_FE

-I_CBO

Min.

Typ.

Max.

Unit

DC Current Gain

at -V_CE= 5 V, -I_C= 50 mA

Collector Base Cutoff Current

at -V_CB= 30 V

3.6

0.3

µA

Emitter Base Cutoff Current

at -V_EB= 5 V

-I_EBO

Collector Emitter Saturation Voltage

at I_C= 50 mA, I_B= 2.5 mA

-V_CEsat

-V_I(off)

-V_I(on)

Input Off Voltage

0.3

at -V_CE= 5 V, -I_C= 0.1 mA

Input On Voltage

at -V_CE= 0.3 V, -I_C= 20 mA

Transition Frequency

at -V_CE= 10 V, -I_E= 5 mA, f = 100 MHz

¹⁾Characteristic of transistor only.

f_T

200

MHz

Dated : 27/07/2018 Rev:04

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