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MMDTA123YE

更新时间： 2024-01-21 20:34:30

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商升特 - SEMTECH		晶体晶体管
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2页	826K
描述
PNP silicon epitaxial planar digital transistor

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MMDTA123YE 数据手册

MMDTA123YE

PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Features

Collector

(Output)

• With built-in bias resistors

• Simplify circuit design

Base

(Input)

• Reduce a quantity of parts and

manufacturing process

Emitter

(Common)

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Emitter Voltage

Input Voltage

-V_CEO

V_I

- 12 to + 5

100

Collector Current

-I_C

℃

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

P_tot

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

℃

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

h_FE

Min.

Typ.

Max.

Unit

DC Current Gain

µA

at -V_CE= 5 V, -I_C= 10 mA

Collector Base Cutoff Current

at -V_CB= 50 V

-I_CBO

-I_EBO

0.5

3.8

0.3

Emitter Base Cutoff Current

at -V_EB= 5 V

Collector Emitter Saturation Voltage

at -I_C= 10 mA, -I_B= 0.5 mA

-V_CE(sat)

-V_I(off)

-V_I(on)

f_T

Input off Voltage

0.3

at -V_CE= 5 V, -I_C= 100 µA

Input on Voltage

at -V_CE= 0.3 V, -I_C= 20 mA

Transition Frequency

at -V_CE= 10 V, I_E= 5 mA, f = 100 MHz

250

MHz

Input Resistance

Resistance Ratio

R₁

1.54

3.6

2.2

4.5

2.86

5.5

KΩ

R₂/ R₁

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

Subsidiary of Sino-Tech International (BVI) Limited

Dated: 23/01/2013 Rev: 01

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