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MMDTA431EEW

更新时间： 2024-11-16 14:53:15

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数字三极管

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MMDTA431EEW 数据手册

MMDTA431EEW

Dual PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Features

• Built-in bias resistors R1(4.7 KΩ) and R2(4.7 KΩ)

TR1

TR2

TR1: 1.Base 2.Emitter 5.Collector

TR2: 2.Emitter 3.Base 4.Collector

SOT-353 Plastic package

Applications

• Inverted circuit

• Switching circuit

• Interface circuit

• Driver circuit

Absolute Maximum Ratings at T_a= 25

(TR1、TR2)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

100

Peak Collector Current, Pulsed

Power Dissipation

-I_CM

P_D

100

200

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 17/05/2023 Rev: 02

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