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MMDTB231

更新时间： 2024-09-09 14:53:23

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数字三极管

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MMDTB231 数据手册

MMDTB231

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

Collector

(Output)

Features

Base

• With built-in bias resistors

• Simplify circuit design

(Input)

• Reduce a quantity of parts and manufacturing process

Emitter

(Common)

SOT-23 Plastic Package

Applications

• For switching and interface circuit and drive circuit applications

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

-V_CBO

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

-V_CEO

V_EBO

-I_C

- 10 to + 12

500

℃

Power Dissipation

P_tot

200

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 4

Dated: 28/06/2022 Rev: 03

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