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MMDTA231E

更新时间： 2024-09-09 14:53:39

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数字三极管

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MMDTA231E 数据手册

MMDTA231E

PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Collector

(Output)

Base

(Input)

Features

• Built-in biasing resistors, R₁= R₂= 2.2 KΩ

Emitter

(Common)

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

Parameter

)

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Output Current

-12 to +10

100

Collector Current, pulse

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

-I_CM

100

P_tot

150

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

833

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 4

Dated: 07/09/2021 Rev: 01

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