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MMDTA136E

更新时间： 2023-12-06 20:10:28

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数字三极管

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MMDTA136E 数据手册

MMDTA136E

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

for switching and interface circuit and drive circuit applications

Collector

(Output)

Features

• With built-in bias resistors

Base

(Input)

• Simplify circuit design

• Reduce a quantity of parts and

manufacturing process

Emitter

(Common)

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Symbol

Value

Unit

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

100

200

150

Peak Collector Current

Collector Dissipation

-I_CM

P_C

Junction Temperature

T_j

150

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

h_FE

Min.

Typ.

Max.

Unit

DC forward Current Gain

at -V_CE= 5 V, -I_C= 5 mA

Collector Base Cut-off Current

at -V_CB= 50 V

-I_CBO

-V_(BR)CEO

-V_CE(sat)

-V_I(ON)

100

Collector Emitter Breakdown Voltage

at -I_C= 100 µA

Collector to Emitter Saturation Voltage

at -I_C= 10 mA, -I_B= 0.5 mA

0.3

Input Voltage (ON)

1.2

at -V_CE= 0.2 V, -I_C= 5 mA

Input Voltage (OFF)

-V_I(OFF)

0.4

at -V_CE= 5 V, -I_C= 100 µA

R₁

KΩ

Input Resistance

Resistance Ratio

0.7

1.3

R₂/ R₁

Gain Band with Product

at -V_CE= 6 V, -I_E= 10 mA

f_T

150

MHz

Dated : 17/08/2011 Rev:01

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