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MMDTB141

更新时间: 2024-09-09 14:55:39
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描述
数字三极管

MMDTB141 数据手册

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MMDTB141  
PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor  
Collector  
(Output)  
Features  
R1  
Base  
• With built-in bias resistors  
• Simplify circuit design  
(Input)  
R2  
• Reduce a quantity of parts and manufacturing process  
1.Base 2.Emitter 3.Collector  
SOT-23 Plastic Package  
Emitter  
(Common)  
Applications  
• For switching and interface circuit and drive circuit  
O
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector Base Voltage  
Collector Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
Collector Current  
-VCBO  
-VCEO  
-VEBO  
-IC  
50  
50  
V
V
- 10 to + 40  
500  
V
mA  
mW  
Power Dissipation  
Ptot  
200  
O
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Tj  
150  
C
O
Tstg  
- 55 to + 150  
C
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Max.  
625  
Unit  
/W  
Thermal Resistance from Junction to Ambient 1)  
1) Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.  
®
1 / 4  
Dated: 11/07/2022 Rev: 03  

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