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MMDTA124W

更新时间： 2024-02-08 17:58:06

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商升特 - SEMTECH		晶体晶体管
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描述
PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

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MMDTA124W 数据手册

MMDTA124W

PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Collector

(Output)

Base

(Input)

Emitter

(Common)

Resistance Values

Type

R1 (KΩ)

R2 (KΩ)

MMDTA124W

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

V_I

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Input Voltage

- 40 to + 10

100

Collector Current

-I_C

Total Power Dissipation

P_tot

200

Junction Temperature

T_j

150

Storage Temperature Range

T_S

- 65 to + 150

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

DC Current Gain

h_FE

-I_CBO

-I_CEO

-I_EBO

at -V_CE= 5 V, -I_C= 5 mA

Collector Base Cutoff Current

at -V_CB= 50 V

100

μA

Collector Emitter Cutoff Current

at -V_CE= 30 V

Emitter Base Cutoff Current

at -V_EB= 5 V

180

0.15

0.8

Collector Emitter Saturation Voltage

at -I_C= 10 mA, -I_B= 0. 5 mA

-V_CEsat

-V_I(off)

-V_I(on)

Input Off Voltage

at -V_CE= 5 V, -I_C= 100 µA

Input On Voltage

2.5

at -V_CE= 0.3 V, -I_C= 5 mA

Input Resistance

Resistance Ratio

15.4

0.8

28.6

1.2

KΩ

R2/R1

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 15/05/2007

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