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MMDTA124W

更新时间: 2024-11-15 05:49:23
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商升特 - SEMTECH 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 129K
描述
PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

MMDTA124W 数据手册

  
MMDTA124W  
PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor  
Collector  
(Output)  
R1  
Base  
(Input)  
R2  
Emitter  
(Common)  
Resistance Values  
Type  
R1 (K)  
R2 (K)  
MMDTA124W  
22  
22  
O
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)  
Parameter  
Symbol  
-VCBO  
-VCEO  
-VEBO  
VI  
Value  
Unit  
V
Collector Base Voltage  
Collector Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
Input Voltage  
50  
50  
V
10  
V
- 40 to + 10  
100  
V
Collector Current  
-IC  
mA  
mW  
Total Power Dissipation  
Ptot  
200  
O
C
Junction Temperature  
Tj  
150  
O
C
Storage Temperature Range  
TS  
- 65 to + 150  
O
Characteristics at Ta = 25 C  
Parameter  
Symbol  
Min.  
60  
Typ.  
-
Max.  
-
Unit  
DC Current Gain  
hFE  
-ICBO  
-ICEO  
-IEBO  
-
at -VCE = 5 V, -IC = 5 mA  
Collector Base Cutoff Current  
at -VCB = 50 V  
-
-
-
-
-
-
-
100  
1
nA  
μA  
μA  
V
Collector Emitter Cutoff Current  
at -VCE = 30 V  
-
Emitter Base Cutoff Current  
at -VEB = 5 V  
-
-
180  
0.15  
0.8  
-
Collector Emitter Saturation Voltage  
at -IC = 10 mA, -IB = 0. 5 mA  
-VCEsat  
-VI(off)  
-VI(on)  
Input Off Voltage  
-
V
at -VCE = 5 V, -IC = 100 µA  
Input On Voltage  
2.5  
V
at -VCE = 0.3 V, -IC = 5 mA  
Input Resistance  
Resistance Ratio  
R1  
15.4  
0.8  
22  
1
28.6  
1.2  
KΩ  
R2/R1  
-
SEMTECH ELECTRONICS LTD.  
(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company  
listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)  
®
Dated : 15/05/2007  

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