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MMDTA141D

更新时间： 2023-12-06 20:09:27

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数字三极管

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MMDTA141D 数据手册

MMDTA141D

Dual PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistors

Features

• Built-in bias resistors R1 (10 KΩ) and R2 (10 KΩ)

TR2

• Simplification of circuit design

TR1

• Reduces number of components and board space

• Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit

TR1: 1. Emitter 2. Base 6. Collector

TR2: 4. Emitter 5. Base 3. Collector

SOT-26 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings at T_a= 25℃

Parameter

Collector Base Voltage

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

Value

Unit

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

100

℃

Total Power Dissipation ¹⁾

Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

P_tot

200

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

℃

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 31/03/2023 Rev: 02

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