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MMDTB234W

更新时间： 2024-11-16 14:52:55

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数字三极管

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MMDTB234W 数据手册

MMDTB234W

PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Features

Collector

(Output)

• Built-in bias resistors

• Simplifies circuit design

Base

(Input)

• Reduces component count

Emitter

(Common)

Resistance Values

R1 (KΩ)

2.2

R2 (KΩ)

Applications

• Ic inputs control

• Switching loads

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Input Voltage

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

V_IN

- 5 to 12

0.5

Collector Current

-I_C

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

P_tot

0.2

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 4

Dated : 30/08/2023 Rev：01

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