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MMDTA436DW

更新时间： 2024-09-09 14:55:23

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数字三极管

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MMDTA436DW 数据手册

MMDTA436DW

Dual PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Features

• Built-In biasing resistors

TR2

TR1

Application

TR1: 1. Emitter 2. Base 6. Collector

TR2: 4. Emitter 5. Base 3. Collector

SOT-363 Plastic Package

• Inverted circuit

• Switching circuit

• Interface circuit

• Driver circuit

Resistor Value

Resistance

R1 (KΩ)

4.7

R2 (KΩ)

Value

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

Parameter

)

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

0.1

Power Dissipation

P_tot

200

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout..

Dated: 21/10/2021 Rev: 01

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