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MMDTB131

更新时间： 2024-09-09 14:52:07

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数字三极管

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MMDTB131 数据手册

MMDTB131

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

for switching and interface circuit and drive

circuit applications

Collector

(Output)

Base

Features

(Input)

• With built-in bias resistors

• Simplify circuit design

• Reduce a quantity of parts and manufacturing process

Emitter

(Common)

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Output Voltage

-V_O

-V_I

-I_O

- 10 to + 10

500

Input Voltage

Output Current

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

P_tot

T_j

200

150

T_stg

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

DC Current Gain

G_I

-I_O(OFF)

-I_I

µA

at -V_CE= 5 V, -I_C= 50 mA

Output Cutoff Current

at -V_O= 50 V

0.5

7.2

0.3

Input Current

at -V_I= 5 V

Output Voltage

-V_O(ON)

-V_I(on)

-V_I(off)

f_T

at -I_O= 50 mA, -I_I= 2.5 mA

Input Voltage (on)

at -V_O= 0.3 V, -I_O= 20 mA

Input Voltage (off)

0.5

at -V_O= 5 V, -I_O= 100 µA

Transition Frequency

200

MHz

at -V_O= 10 V, -I_O= 5 mA, f = 100 MHz

Input Resistance

Resistance Ratio

R₁

0.7

0.8

1.3

1.2

KΩ

R₂/ R₁

Dated: 14/07/2018 Rev: 02

12 3

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