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MMDTA115W

更新时间： 2024-02-14 02:58:38

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商升特 - SEMTECH		晶体晶体管
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描述
PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

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MMDTA115W 数据手册

MMDTA115W

PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Collector

(Output)

Base

(Input)

Emitter

(Common)

Resistance Values

Type

R1 (KΩ)

R2 (KΩ)

MMDTA115W

100

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

-V_CEO

V_EBO

-I_C

Value

Unit

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

- 40 to + 10

100

Total Power Dissipation

P_tot

200

Junction Temperature

T_j

150

Storage Temperature Range

T_S

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

h_FE

-I_CBO

Min.

Typ.

Max.

Unit

DC Current Gain

at -V_CE= 5 V, -I_C= 5 mA

Collector Base Cutoff Current

at -V_CB= 50 V

500

0.15

0.3

Emitter Base Cutoff Current

at -V_EB= 5 V

-I_EBO

Collector Emitter Saturation Voltage

at -I_C= 5 mA, -I_B= 0.25 mA

-V_CEsat

-V_I(off)

-V_I(on)

Input Off Voltage

0.5

at -V_CE= 5 V, -I_C= 100 µA

Input On Voltage

at -V_CE= 0.3 V, -I_C= 1 mA

Transition Frequency

at -V_CE= 10 V, I_E= 5 mA, f = 100 MHz

f_T

250

MHz

100

130

1.2

KΩ

Input Resistance

Resistance Ratio

R2/R1

0.8

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 11/04/2007

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