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MMDTA114YE

更新时间： 2024-11-16 14:54:15

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数字三极管

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MMDTA114YE 数据手册

MMDTA114YE

PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Features

Collector

(Output)

• With built-in bias resistors

• Simplify circuit design

Base

(Input)

• Reduce a quantity of parts and

manufacturing process

Emitter

(Common)

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Input Voltage

Symbol

Value

Unit

-V_CBO

-V_CEO

V_IN

- 40 to + 6

100

Collector Current

-I_C

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

P_tot

150

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

833

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

1 / 4

Dated: 24/05/2023 Rev: 03

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