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MMDT9014

更新时间： 2023-12-06 20:08:56

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江苏长电/长晶 - CJ		/
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4页	1222K
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SOT-363

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MMDT9014 数据手册

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors

MMDT9014 DUAL TRANSISTOR (NPN+NPN)

SOT-363

FEATURES

Epitaxial Planar Die Construction

Complementary PNP Type Available(MMDT9015)

Ideal for Medium Power Amplification and Switching

MARKING:TGL6

MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Collector- Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

0.1

0.2

P_C

Operation Junction and

Storage Temperature Range

T_J,T_stg

℃

-55~+150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test

conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C=100μA, I_E=0

I_C=100μA, I_B=0

I_E=100μA, I_C=0

V_CB=50V, I_E=0

0.1

μA

Collector cut-off current

I_CEO

V_CE=35V, I_B=0

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=4V, I_C=0

0.1

400

0.3

DC current gain

h_FE

V_CE=5V, I_C=1mA

I_C=100mA, I_B=5mA

V_CE=5V,I_C=2mA

V_CE=5V,I_C=10mA, f=30MHz

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

300

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE

0.58

150

0.7

Transition frequency

f_T

MHz

Collector output capacitance

C_ob

3.5

V_CE=5V, I_C=0.2mA,

Noise Figure

R_g=2kΩ,f=1kHz

www.jscj-elec.com

Rev. - 2.0

12 3 4

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