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MMDT9015

更新时间： 2023-12-06 20:11:06

品牌	Logo	应用领域
江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
4页	1060K
描述
SOT-363

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MMDT9015 数据手册

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors

SOT-363

MMDT9015 ^{TRANSISTOR (PNP)}

FEATURES



Complementary to MMDT9014

MARKING: TGM6

MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

-50

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-45

-5

Collector Current

-100

200

℃/W

℃

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

P_C

R_ΘJA

T_j

625

150

Storage Temperature

T_stg

-55～+150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

I_C= -100μA, I_E=0

I_C= -0.1mA, I_B=0

I_E=-100μA, I_C=0

Min

-50

-45

-5

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_CB=-50 V, I_E=0

-0.1

400

-0.3

-1

μA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB= -5V, I_C=0

DC current gain

h_FE

V_CE=-5V, I_C= -1mA

I_C=-100mA, I_B= -10mA

I_C=-100mA, I_B=-10mA

V_CE=-5V, I_B=-2mA

300

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE

-0.6

-0.75

_CE=-5V, I_C= -10mA

Transition frequency

f_T

150

MHz

f=30MHz

www.jscj-elec.com

Rev. - 1.1

12 3 4

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