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MMDT8050SL-AL6-R

更新时间： 2024-11-15 07:15:19

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描述
LOW VCESAT NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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MMDT8050SL-AL6-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.77
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

MMDT8050SL-AL6-R 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

MMDT8050S

Preliminary

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

LOW VCESAT NPN EPITAXIAL

PLANAR TRANSISTOR

DESCRIPTION

The UTC MMDT8050S is a Dual NPN epitaxial planar transistor. It

has low V_CE(sat)performance, and the transistor elements are

independent, eliminating interference.

FEATURES

* Low V_CE(sat), V_CE(sat)=40mV (typ.)@I_C/ I_B= 50mA / 2.5mA

* Transistor elements are independent, eliminating interference.

* Mounting cost and area can be cut in half.

EQUIVALENT CIRCUIT

Tr1

Tr2

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Lead Free

Package

SOT-363

Packing

Halogen Free

MMDT8050SL-AL6-R

MMDT8050SG-AL6-R

Tape Reel

MMDT8050SL-AL6-R

(1) R: Tape Reel

(1)Packing Type

(2)Package Type

(3)Lead Free

(2) AL6: SOT-363

(3) Halogen Free, L: Lead Free

MARKING

N24

G: Halogen Free

L: Lead Free

www.unisonic.com.tw

1 of 2

QW-R218-012.a

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MMDT9015	CJ	获取价格	SOT-363
MMDTA06	DIODES	获取价格	Dual NPN, 80V, 0.5A, SOT26
MMDTA06-7	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, GREEN,
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