是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数: | 6 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.75 | 风险等级: | 5.77 |
最大集电极电流 (IC): | 0.8 A | 集电极-发射极最大电压: | 25 V |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE): | 40 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 6 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 0.2 W |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 150 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMDT8150 | UTC |
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LOW VCESAT NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
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MMDT8150_15 | UTC |
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LOW VCESAT NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
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MMDT8150G-AL6-R | UTC |
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LOW VCESAT NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
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MMDT8150L-AL6-R | UTC |
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LOW VCESAT NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
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MMDT9014 | CJ |
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SOT-363 |
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MMDT9015 | CJ |
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SOT-363 |
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MMDTA06 | DIODES |
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Dual NPN, 80V, 0.5A, SOT26 |
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MMDTA06-7 | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, GREEN, |
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MMDTA114EE | SWST |
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数字三极管 |
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MMDTA114W | SWST |
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数字三极管 |
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