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MMBT5401LT1

更新时间： 2024-01-12 04:30:13

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AVICTEK		晶体晶体管光电二极管
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1页	41K
描述
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

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MMBT5401LT1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.13
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	150 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

MMBT5401LT1 数据手册

@vic

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

MMBT5401LT1 TRANSISTOR (PNP)

FEATURES

SOT-23

1. BASE

2. EMITTER

3. COLLECTOR

Power dissipation

2. 4

1. 3

P_CM:

0.3

W (Tamb=25℃)

Collector current

I_CM:

-0.6

Collector-base voltage

V_(BR)CBO

-160

Operating and storage junction temperature range

Unit: mm

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

MAX

UNIT

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-160

-150

-5

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Ic= -100 µA, I_E=0

Ic= -1 mA, I_B=0

I_E= -10µA, I_C=0

V_CB=-120V, I_E=0

-0.1

µA

I_EBO

V_EB=-4V, I_C=0

Emitter cut-off current

H_FE(1)

V_CE= -5V, I_C= -1mA

V_CE= -5V, I_C=-10mA

V_CE= -5V, I_C=-50mA

I_C=-50mA, I_B= -5mA

I_C= -50mA, I_B= -5mA

100

DC current gain

H_FE(2)

200

H_FE(3)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

-0.5

-1

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter

voltage

saturation

_CE= -5V, I_C= -10mA

100

MHz

Transition frequency

f_T

f=30MHz

DEVICE MARKING

MMBT5401LT1=2L

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与MMBT5401LT1相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MMBT5401LT1G	ONSEMI	High Voltage Transistor(PNP Silicon)	获取价格
MMBT5401LT3	ONSEMI	High Voltage Transistor(PNP Silicon)	获取价格
MMBT5401LT3G	ONSEMI	High Voltage Transistor(PNP Silicon)	获取价格
MMBT5401L-X-AE3-R	UTC	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR	获取价格
MMBT5401M3T5G	ONSEMI	150 V，60 mA，低饱和压，PNP 晶体管，SOT-723	获取价格
MMBT5401Q	DIODES	PNP, 150V, 0.6A, SOT23	获取价格