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MMBFJ270 PDF预览

MMBFJ270

更新时间： 2024-02-08 03:23:50
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 48K
描述
P-Channel Switch

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MMBFJ270 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.16
Is Samacsys：N配置：SINGLE
FET 技术：JUNCTIONJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MMBFJ270 数据手册

 浏览型号MMBFJ270的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBFJ270的Datasheet PDF文件第3页 
MMBFJ270  
P-Channel Switch  
G
•
This device is designed for low level analog switching sample and hold  
circuits and chopper stabilized amplifiers.  
•
Sourced from process 88.  
S
SOT-23  
D
Mark: 61S  
1. Drain 2. Gate 3. Source  
Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
-30  
Units  
V
V
V
Drain-Gate Voltage  
Gate-Source Voltage  
Forward Gate Current  
DG  
GS  
30  
V
I
50  
mA  
°C  
GF  
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 ~ 150  
J
STG  
* This ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These rating are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
30  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
V
Gate-Source Breakdwon Voltage  
Gate Reverse Current  
I
= -1.0µA, V = 0  
V
pA  
V
(BR)GSS  
GSS  
G
DS  
I
V
V
= -20V, V = 0  
200  
2.0  
GS  
DS  
DS  
V
Gate-Source Cutoff Voltage  
= -15V, I = 1.0nA  
0.5  
GS(off)  
D
On Characteristics  
Zero-Gate Voltage Drain Current *  
Small Signal Characteristics  
I
V
= -15V, V = 0  
-2.0  
6000  
-15  
mA  
DSS  
DS  
GS  
gfs  
Forward Transferconductance  
Common- Source Output Conductance  
V
V
= 0V, V = 15V, f = 1.0kHz  
15000  
200  
µmhos  
µmhos  
GS  
GS  
DS  
goss  
= 0V, V = 15V, f = 1.0kHz  
DS  
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
mW  
mW/°C  
P
Total Device Dissipation  
225  
1.8  
D
Derate above 25°C  
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
556  
°C/W  
θJA  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, February 2004  
123

中文翻译

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