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MMBFJ270

更新时间： 2024-10-01 11:13:55

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安森美 - ONSEMI		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	210K
描述
P沟道开关

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MMBFJ270 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
Factory Lead Time：	42 weeks	风险等级：	0.59
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	功耗环境最大值：	0.225 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MMBFJ270 数据手册

DATA SHEET

www.onsemi.com

P-Channel Switch

MMBFJ270

SOT−23 (TO−236)

CASE 318−08

Description

This device is designed for low level analog switching sample and

hold circuits and chopper stabilized amplifiers.

Sourced from process 88.

MARKING DIAGRAMS

Features

• These are Pb−Free Devices

61SMG

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)

(Note 1)

Symbol

Parameter

Drain−Gate Voltage

Value

−30

Unit

61S = Specific Device Code

= Date Code

= Pb−Free Package

(Microdot may be in either location)

Gate−Source Voltage

Forward Gate Current

°C

T , T

Operating and Storage Junction

Temperature Range

−55 to 150

STG

ORDERING INFORMATION

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the

device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be

assumed, damage may occur and reliability may be affected.

1. These ratings are limiting values above which the serviceability of any

semiconductor device may be impaired. These are steady−state limits. The

factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle

operations.

†

Device

Package

Shipping

3000 /

Tape & Reel

MMBFJ270 SOT−23 (TO−236)

(Pb−Free)

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specification

Brochure, BRD8011/D.

THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Total Device Dissipation

Derate Above 25_C

Max

225

1.8

Unit

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance,

556

Junction to Ambient (Note 2)

2. Device mounted on FR−4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch.

Publication Order Number:

May, 2022 − Rev. 2

MMBFJ270/D

12 3 4 5 6 7

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MMBFJ270 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SST174-T1-E3	VISHAY	功能相似	Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Junction FET
SST174-E3	VISHAY	功能相似	Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Junction FET

与MMBFJ270相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBFJ270_08	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel Switch
MMBFJ271	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel Switch
MMBFJ271	ONSEMI	获取价格	P沟道开关
MMBFJ304	FAIRCHILD	获取价格	SFET RF,VHF, UHF, Amplitiers
MMBFJ305	FAIRCHILD	获取价格	SFET RF,VHF, UHF, Amplitiers
MMBFJ305	ONSEMI	获取价格	N沟道RF放大器
MMBFJ305_11	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel RF Amplifier
MMBFJ309	PANJIT	获取价格	J-FET HIGH FREQUENCY AMPLIFIER TRANSISTOR
MMBFJ309	TI	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
MMBFJ309	FAIRCHILD	获取价格	SFET RF,VHF, UHF, Amplitiers

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