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MMBFJ309

更新时间： 2024-11-26 03:36:55

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强茂 - PANJIT		晶体放大器晶体管光电二极管
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3页	51K
描述
J-FET HIGH FREQUENCY AMPLIFIER TRANSISTOR

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MMBFJ309 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	FET 技术：	JUNCTION
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

MMBFJ309 数据手册

MMBFJ309 / MMBFJ310

J-FET HIGH FREQUENCY

AMPLIFIER TRANSISTOR

N-CHANNEL

For VHF/UHF Applications

SOT-23

DEVICE MARKING

MMBFJ309 = B9J; MMBFJ310 = B1J

Note: Drain and Source are

interchangeable.

ELECTRICAL RATINGS

Rating

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Gate Current

Units

Symbol

Value

mAdc

THERMAL RATINGS

Units

Rating

Power Dissipation (Note 1)

Symbol

Value

225

°C/W

°C

Thermal Resistance - Junction to Ambient (Note 1)

Operating Temperature Range

556

-55 to +150

Storage Temperature Range

°C

stg

Note 1: Device mounted on FR-5 board 1.0 x 0.75 x 0.062 in. with recommended minimum pad layout

9/19/2005

Page

www.panjit.com

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