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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> MMBFJ310
MMBFJ310 PDF预览

MMBFJ310

更新时间： 2024-11-27 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器PC射频光电二极管小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 88K
描述
N 沟道 RF 晶体管

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MMBFJ310 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Lifetime Buy
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：6.7Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：977813
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Integrated Circuit
Samacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)Samacsys Footprint Name：SOT-23 (TO-236) CASE 318-08 ISSUE AS
Samacsys Released Date：2018-11-23 00:58:18Is Samacsys：N
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：25 V
FET 技术：JUNCTION最大反馈电容 (Crss)：2.5 pF
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MMBFJ310 数据手册

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ON Semiconductort  
JFET - VHF/UHF Amplifier  
Transistor  
N–Channel  
MMBFJ309LT1  
MMBFJ310LT1  
3
MAXIMUM RATINGS  
1
2
Rating  
Drain–Source Voltage  
Symbol  
Value  
25  
Unit  
Vdc  
V
V
DS  
CASE 318–08, STYLE 10  
SOT–23 (TO–236AB)  
Gate–Source Voltage  
25  
Vdc  
GS  
Gate Current  
I
10  
mAdc  
G
2 SOURCE  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
3
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
225  
mW  
D
GATE  
T
= 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
1 DRAIN  
qJA  
T , T  
–55 to +150  
J
stg  
MMBFJ309LT1 = 6U; MMBFJ310LT1 = 6T  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Gate–Source Breakdown Voltage (I = –1.0 µAdc, V  
= 0)  
V
(BR)GSS  
–25  
–
–
Vdc  
G
DS  
Gate Reverse Current (V  
Gate Reverse Current (V  
= –15 Vdc)  
= –15 Vdc, T = 125°C)  
I
–
–
–
–
–1.0  
–1.0  
nAdc  
µAdc  
GS  
GS  
GSS  
A
Gate Source Cutoff Voltage  
(V = 10 Vdc, I = 1.0 nAdc)  
MMBFJ309  
MMBFJ310  
V
–1.0  
–2.0  
–
–
–4.0  
–6.5  
Vdc  
GS(off)  
DS  
D
ON CHARACTERISTICS  
Zero–Gate–Voltage Drain Current  
MMBFJ309  
MMBFJ310  
I
12  
24  
–
–
30  
60  
mAdc  
Vdc  
DSS  
(V  
DS  
= 10 Vdc, V  
= 0)  
GS  
Gate–Source Forward Voltage (I = 1.0 mAdc, V  
G
= 0)  
V
–
–
1.0  
DS  
GS(f)  
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS  
Forward Transfer Admittance (V  
= 10 Vdc, I = 10 mAdc, f = 1.0 kHz)  
|Y  
|
8.0  
–
–
–
18  
250  
5.0  
2.5  
–
mmhos  
µmhos  
pF  
DS  
D
fs  
Output Admittance (V  
= 10 Vdc, I = 10 mAdc, f = 1.0 kHz)  
|y  
|
DS  
D
os  
Input Capacitance (V  
= –10 Vdc, V  
= 0 Vdc, f = 1.0 MHz)  
C
–
–
GS  
DS  
= –10 Vdc, V  
iss  
rss  
Reverse Transfer Capacitance (V  
GS  
= 0 Vdc, f = 1.0 MHz)  
C
–
–
pF  
DS  
Equivalent Short–Circuit Input Noise Voltage  
(V = 10 Vdc, I = 10 mAdc, f = 100 Hz)  
e
–
10  
Ǹ
n
nVń Hz  
DS  
D
1. FR–5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
November, 2001 – Rev. 2  
MMBFJ309LT1/D  
12345678

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MMBFJ310 替代型号

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