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MMBFU310LT3 PDF预览

MMBFU310LT3

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
35页 372K
描述
Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN

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MMBFU310LT3 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.3
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：25 V
FET 技术：JUNCTION最大反馈电容 (Crss)：2.5 pF
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：0.225 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON

MMBFU310LT3 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
N–Channel  
2 SOURCE  
1 DRAIN  
Motorola Preferred Device  
3
GATE  
3
MAXIMUM RATINGS  
1
Rating  
Drain–Source Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
2
V
25  
25  
10  
DS  
GS  
Gate–Source Voltage  
V
Vdc  
CASE 318–08, STYLE 10  
SOT–23 (TO–236AB)  
Gate Current  
I
G
mAdc  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
225  
mW  
D
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
1.8  
556  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
MMBFU310LT1 = 6C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Gate–Source Breakdown Voltage (I = –1.0 µAdc, V  
DS  
= 0)  
V
–25  
—
—
Vdc  
pA  
G
(BR)GSS  
Gate 1 Leakage Current (V  
Gate 2 Leakage Current (V  
= –15 Vdc, V  
= –15 Vdc, V  
= 0)  
I
–150  
–150  
–6.0  
GS  
GS  
DS  
DS  
G1SS  
G2SS  
= 0, T = 125°C)  
I
—
nAdc  
Vdc  
A
Gate Source Cutoff Voltage (V  
= 10 Vdc, I = 1.0 nAdc)  
V
GS(off)  
–2.5  
DS  
D
ON CHARACTERISTICS  
Zero–Gate–Voltage Drain Current (V  
= 10 Vdc, V  
= 0)  
I
24  
—
60  
mAdc  
Vdc  
DS  
GS  
DSS  
Gate–Source Forward Voltage (I = 10 mAdc, V  
G
= 0)  
V
1.0  
DS  
GS(f)  
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS  
Forward Transfer Admittance  
|Y  
|
10  
—
—
—
18  
250  
5.0  
2.5  
mmhos  
µmhos  
pF  
fs  
(V  
DS  
= 10 Vdc, I = 10 mAdc, f = 1.0 kHz)  
D
Output Admittance  
(V = 10 Vdc, I = 10 mAdc, f = 1.0 kHz)  
|y  
C
|
os  
DS  
Input Capacitance  
(V = –10 Vdc, V  
D
iss  
= 0 Vdc, f = 1.0 MHz)  
DS  
GS  
Reverse Transfer Capacitance  
(V = –10 Vdc, V = 0 Vdc, f = 1.0 MHz)  
C
pF  
rss  
GS  
1. FR–5 = 1.0  
DS  
0.75 0.062 in.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
4–186  
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
1234567...35

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