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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> MMBFU310LT1
MMBFU310LT1 PDF预览

MMBFU310LT1

更新时间： 2024-11-25 22:32:11
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
6页 165K
描述
JFET Transistor

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MMBFU310LT1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.79Is Samacsys：N
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：25 V
FET 技术：JUNCTION最大反馈电容 (Crss)：2.5 pF
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：0.225 W最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MMBFU310LT1 数据手册

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by MMBFU310LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
N–Channel  
2 SOURCE  
Motorola Preferred Device  
3
GATE  
1 DRAIN  
3
MAXIMUM RATINGS  
1
Rating  
Drain–Source Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
2
V
V
25  
25  
10  
DS  
Gate–Source Voltage  
Vdc  
CASE 318–08, STYLE 10  
SOT–23 (TO–236AB)  
GS  
Gate Current  
I
G
mAdc  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
225  
mW  
D
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
1.8  
556  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
MMBFU310LT1 = 6C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Gate–Source Breakdown Voltage (I = –1.0 µAdc, V  
= 0)  
V
(BR)GSS  
–25  
—
—
Vdc  
pA  
G
DS  
Gate 1 Leakage Current (V  
Gate 2 Leakage Current (V  
= –15 Vdc, V  
= –15 Vdc, V  
= 0)  
I
I
–150  
–150  
–6.0  
GS  
GS  
DS  
DS  
G1SS  
G2SS  
= 0, T = 125°C)  
—
nAdc  
Vdc  
A
Gate Source Cutoff Voltage (V  
= 10 Vdc, I = 1.0 nAdc)  
V
GS(off)  
–2.5  
DS  
D
ON CHARACTERISTICS  
Zero–Gate–Voltage Drain Current (V  
= 10 Vdc, V  
= 0)  
I
24  
—
60  
mAdc  
Vdc  
DS  
GS  
DSS  
Gate–Source Forward Voltage (I = 10 mAdc, V  
G
= 0)  
V
1.0  
DS  
GS(f)  
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS  
Forward Transfer Admittance  
|Y  
|
10  
—
—
—
18  
250  
5.0  
2.5  
mmhos  
µmhos  
pF  
fs  
(V  
DS  
= 10 Vdc, I = 10 mAdc, f = 1.0 kHz)  
D
Output Admittance  
(V = 10 Vdc, I = 10 mAdc, f = 1.0 kHz)  
|y  
C
|
os  
DS  
Input Capacitance  
(V = –10 Vdc, V  
D
iss  
= 0 Vdc, f = 1.0 MHz)  
DS  
GS  
Reverse Transfer Capacitance  
(V = –10 Vdc, V = 0 Vdc, f = 1.0 MHz)  
C
pF  
rss  
GS  
1. FR–5 = 1.0  
DS  
0.75 0.062 in.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBFU310LT1_05 ONSEMI

获取价格

 		JFET Transistor N-Channel
MMBFU310LT1G ONSEMI

获取价格

 		JFET Transistor N-Channel
MMBFU310LT3 ONSEMI

获取价格

 		Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
MMBL4148H WEITRON

获取价格

 		Surface Mount Switching Diode
MMBL4148H-G WEITRON

获取价格

 		暂无描述
MMBL4448H WEITRON

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MMBL914H WEITRON

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 		Surface Mount Switching Diode
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