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MMBR5179LT1 PDF预览

MMBR5179LT1

更新时间： 2024-11-26 04:14:59
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管射频微波
页数 文件大小 规格书
1页 327K
描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS

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MMBR5179LT1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.2其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.05 A基于收集器的最大容量：1 pF
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SINGLE
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：1400 MHz
Base Number Matches：1

MMBR5179LT1 数据手册

  
MMBR5179LT1  
RF & MICROWAVE TRANSISTORS  
R F P R O D U C T S D I V I S I O N  
DESCRIPTION  
KEY FEATURES  
High FTau-1.4GHz  
!
!
The MMBR5179LT1 is a low noise, high gain, discrete  
silicon bipolar transistors housed in low cost plastic packages.  
Low noise-4.5dB@200MHz  
Low cost SOT23 package  
IMPORTANT:  
For the most current data, consult MICROSEMI’s website: http://www.microsemi.com  
APPLICATIONS/BENEFITS  
C)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TCASE = 25  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PDISS  
TJ  
TSTG  
ꢀ
Parameter  
ꢀ
Value  
20  
12  
2.5  
50  
375  
150  
Unit  
V
V
!
LNA, Oscillator  
, Pre-Driver  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Device Current  
Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
V
mA  
mW  
C
-55 to +150  
C
SOT-23  
MMBR5179LT1  
THERMAL DATA  
RTH(j-c)  
Junction-Case Thermal Resistance  
200  
C/W  
STATIC ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TCASE = 25 C)  
Symbol  
Test  
Conditions  
Units  
Min.  
20  
12  
Typ.  
Max.  
I
I
I
I
I
I
V
V
uA  
BVCBO  
BVCEO  
ICBO  
C = .01mA  
C =3mA  
E = 0  
B = 0  
0.02  
V
V
E = 0  
EB = 15V  
CB = 1 V  
25  
hFE  
C = 3 mA  
DYMANIC ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TCASE = 25 C)  
Symbol  
Test  
Conditions  
Units  
Min.  
Typ.  
Max.  
1.0  
CCB  
FTau  
NF  
F
P
GHz  
dB  
dB  
V
CB = 10 V  
= 1.0 MHz  
f
V
CE = 6 V  
V
CE = 6 V  
V
CE = 6 V  
IC= 5 mA  
IC= 1.5 mA  
IC= 5 mA  
= 200MHz  
= 200MHz  
= 200MHz  
f
f
f
1.4  
4.5  
14  
G
pe  
Copyright 2000  
PDF 2000-11-06  
Microsemi  
Page 1 of 1  
RF Products Division  
140 Commerce Drive, Montgomeryville PA 18936, (215) 631-9840, Fax: (215) 631-9855  
1

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