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MMBR911MLT1

更新时间： 2024-11-26 20:09:07
品牌 Logo 应用领域
ADPOW /
页数 文件大小 规格书
1页 321K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

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MMBR911MLT1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.78
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.06 A
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.333 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：6000 MHzBase Number Matches：1

MMBR911MLT1 数据手册

  
MMBR911MLT1  
RF & MICROWAVE TRANSISTORS  
R F P R O D U C T S D I V I S I O N  
DESCRIPTION  
KEY FEATURES  
High FTau-6.0 GHz  
!
!
The MMBR911MLT1 is a low noise, high gain, discrete  
silicon bipolar transistors housed in low cost plastic packages.  
Low noise-2.9dB@1GHz  
Low cost SOT23 package  
IMPORTANT:  
For the most current data, consult MICROSEMI’s website: http://www.microsemi.com  
APPLICATIONS/BENEFITS  
C)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TCASE = 25  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PDISS  
TJ  
TSTG  
ꢀ
Parameter  
ꢀ
Value  
20  
12  
2.0  
60  
333  
150  
Unit  
V
V
!
LNA, Oscillator  
, Pre-Driver  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Device Current  
Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
V
mA  
mW  
C
-55 to +150  
C
SOT-23  
MMBR911MLT1  
THERMAL DATA  
RTH(j-c)  
Junction-Case Thermal Resistance  
225  
C/W  
STATIC ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TCASE = 25 C)  
Symbol  
Test  
Conditions  
Units  
Min.  
20  
12  
Typ.  
Max.  
I
I
I
I
I
I
V
V
nA  
BVCBO  
BVCEO  
ICBO  
C = .1mA  
C =1.0mA  
E = 0  
B = 0  
V
V
50  
200  
E = 0  
CB =15V  
CE =10V  
30  
hFE  
C = 30mA  
DYMANIC ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TCASE = 25 C)  
Symbol  
Test  
Conditions  
Units  
Min.  
Typ.  
Max.  
CCB  
FTau  
NFmin  
F
P
V
CB = 10 V  
= 1.0 MHz  
1.0  
6.0  
2.9  
11  
f
VCE = 10 V  
VCE = 10 V  
VCE = 10 V  
IC= 30 mA  
IC= 10 mA  
IC= 10 mA  
= 1.0 GHz  
= 1.0 GHz  
= 1.0 GHz  
GHz  
f
f
f
dB  
dB  
G
NF  
Copyright 2000  
CXXXX.PDF 2000-11-06  
Microsemi  
Page 1 of 1  
RF Products Division  
140 Commerce Drive, Montgomeryville PA 18936, (215) 631-9840, Fax: (215) 631-9855  
1

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