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MMBR920L

更新时间: 2024-02-03 14:39:25
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摩托罗拉 - MOTOROLA /
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1页 45K
描述
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

MMBR920L 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CASE 318-07, 3 PINReach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.89
最大集电极电流 (IC):0.035 A基于收集器的最大容量:1 pF
集电极-发射极最大电压:15 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):25最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:0.268 W
最大功率耗散 (Abs):0.35 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):4500 MHz

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