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MMBR931LT3

更新时间: 2024-11-25 21:53:39
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摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管射频光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
1页 45K
描述
The RF Line NPN Silicon High Frequency Transistor

MMBR931LT3 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.92
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.005 A
集电极-发射极最大电压:5 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):150 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):3000 MHzBase Number Matches:1

MMBR931LT3 数据手册

  

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