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MMBR920LT3

更新时间: 2024-01-08 17:14:43
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摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
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1页 45K
描述
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

MMBR920LT3 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.91Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.035 A
集电极-发射极最大电压:15 V配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):25最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.268 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):4500 MHzBase Number Matches:1

MMBR920LT3 数据手册

  

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