5秒后页面跳转
MMBR931LT1 PDF预览

MMBR931LT1

更新时间: 2024-09-30 21:53:39
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
1页 45K
描述
The RF Line NPN Silicon High Frequency Transistor

MMBR931LT1 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.005 A基于收集器的最大容量:0.5 pF
集电极-发射极最大电压:5 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:0.15 W
最大功率耗散 (Abs):0.05 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

MMBR931LT1 数据手册

  

与MMBR931LT1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBR931LT3 MOTOROLA

获取价格

The RF Line NPN Silicon High Frequency Transistor
MMBR941 MOTOROLA

获取价格

NPN Silicon Low Noise, High-Frequency Transistors
MMBR941_99 MOTOROLA

获取价格

NPN Silicon Low Noise, High-Frequency Transistors
MMBR941BL MOTOROLA

获取价格

L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-07, 3 PIN
MMBR941BLT1 MOTOROLA

获取价格

NPN Silicon Low Noise, High-Frequency Transistors
MMBR941L NJSEMI

获取价格

Trans GP BJT NPN 10V 0.05A 3-Pin SOT-23
MMBR941LT1 MOTOROLA

获取价格

NPN Silicon Low Noise, High-Frequency Transistors
MMBR941LT3 MOTOROLA

获取价格

NPN Silicon Low Noise, High-Frequency Transistors
MMBR941MLT1 MICROSEMI

获取价格

Transistor,
MMBR941MLT1 ADPOW

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili