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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> MMBR571LT1
MMBR571LT1 PDF预览

MMBR571LT1

更新时间： 2024-11-25 22:10:03
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
16页 216K
描述
NPN Silicon High-Frequency Transistors

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MMBR571LT1 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.37Is Samacsys：N
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.08 A
基于收集器的最大容量：1 pF集电极-发射极最大电压：10 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：0.33 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：8000 MHz
Base Number Matches：1

MMBR571LT1 数据手册

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by MMBR571LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
Designed for low noise, wide dynamic range front–end amplifiers and  
low–noise VCO’s. Available in a surface–mountable plastic packages. This  
Motorola series of small–signal plastic transistors offers superior quality and  
performance at low cost.  
I
= 80 mA  
C
•
•
•
•
•
High Gain–Bandwidth Product  
= 8.0 GHz (Typ) @ 50 mA  
Low Noise Figure  
LOW NOISE  
HIGH–FREQUENCY  
TRANSISTORS  
f
T
NF = 1.6 dB (Typ) @ f = 1.0 GHz (MRF5711LT1, MRF571)  
min  
High Gain  
= 17 dB (Typ) @ 30 mA/500 MHz (MMBR571LT1)  
G
NF  
High Power Gain  
G
= 13.5 dB (Typ) (MRF5711LT1)  
pe (matched)  
State–of–the–Art Technology  
Fine Line Geometry  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23  
Ion–Implanted Arsenic Emitters  
Gold Top Metallization and Wires  
Silicon Nitride Passivation  
Available in tape and reel packaging options:  
T1 suffix = 3,000 units per reel  
LOW PROFILE  
MMBR571LT1  
•
CASE 317–01, STYLE 2  
MACRO–X  
MAXIMUM RATINGS  
MRF571  
Rating  
Symbol  
Value  
10  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
mA  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
20  
3.0  
80  
Collector Current — Continuous  
I
C
Total Device Dissipation @ T  
case  
= 75°C  
P
D(max)  
MMBR571LT1, MRF5711LT1  
Derate linearly above T = 75°C @  
0.33  
4.44  
W
mW/°C  
case  
CASE 318A–05, STYLE 1  
SOT–143  
Total Device Dissipation (1) @ T = 75°C  
Derate above 75°C  
P
0.58  
7.73  
Watts  
mW/°C  
C
D
MRF571  
LOW PROFILE  
MRF5711LT1  
Operating and Storage Temperature  
T
stg  
–55 to  
+150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Rating  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
MRF5711LT1, MMBR571LT1  
R
225  
°C/W  
θJC  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Maximum Junction Temperature  
DEVICE MARKING  
MRF571  
R
130  
150  
°C/W  
°C  
θJC  
T
Jmax  
MMBR571LT1 = 7X  
NOTE:  
1. Case temperature measured on collector lead immediately adjacent to body of package.  
MRF5711LT1 = 02  
REV 8  
Motorola, Inc. 1997  
1234567...16

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