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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> MMBR911LT1
MMBR911LT1 PDF预览

MMBR911LT1

更新时间： 2024-11-25 22:10:03
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
6页 83K
描述
NPN Silicon High-Frequency Transistor

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MMBR911LT1 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.35
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.06 A
基于收集器的最大容量：1 pF集电极-发射极最大电压：12 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：0.333 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：6000 MHz
Base Number Matches：1

MMBR911LT1 数据手册

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by MMBR911LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
Designed for low noise, wide dynamic range front–end amplifiers and  
low–noise VCO’s. Available in a surface–mountable plastic package. This  
Motorola small–signal plastic transistor offers superior quality and performance  
at low cost.  
I
= 60 mA  
C
LOW NOISE  
HIGH–FREQUENCY  
TRANSISTOR  
•
•
•
•
High Gain–Bandwidth Product  
= 7.0 GHz (Typ) @ 30 mA  
NPN SILICON  
f
T
Low Noise Figure  
NF = 1.7 dB (Typ) @ 500 MHz  
High Gain  
G
= 17 dB (Typ) @ 10 mA/500 MHz  
NF  
State–of–the–Art Technology  
Fine Line Geometry  
Ion–Implanted Arsenic Emitters  
Gold Top Metallization and Wires  
Silicon Nitride Passivation  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23  
LOW PROFILE  
•
Available in tape and reel packaging options:  
T1 suffix = 3,000 units per reel  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
12  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
mA  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
20  
2.0  
60  
Collector Current — Continuous  
I
C
Power Dissipation @ T  
Derate linearly above T  
case  
= 75°C (1)  
= 75°C  
P
333  
mW  
mW/°C  
case  
D(max)  
4.44  
–55 to +150  
150  
Storage Temperature  
T
stg  
°C  
Maximum Junction Temperature  
T
°C  
Jmax  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
225  
°C/W  
θJC  
DEVICE MARKING  
MMBR911LT1 = 7P  
NOTE:  
1. Case temperature measured on collector lead immediately adjacent to body of package.  
REV 8  
Motorola, Inc. 1997  
123456

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