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MMBR901LT3

更新时间： 2024-01-15 13:24:43

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
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NPN Silicon High-Frequency Transistor

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MMBR901LT3 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.78
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
基于收集器的最大容量：	1 pF	集电极-发射极最大电压：	15 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
最高频带：	S BAND	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MMBR901LT3 数据手册

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by MMBR901LT1/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

The RF Line

Designed primarily for use in high–gain, low–noise small–signal amplifiers for

operation up to 2.5 GHz. Also usable in applications requiring fast switching

times.

•

High Current–Gain — Bandwidth Product

= 30 mA

SURFACE MOUNTED

HIGH–FREQUENCY

TRANSISTOR

Low Noise Figure @ f = 1.0 GHz —

= 1.8 dB (Typ) (MRF9011LT1)

= 1.9 dB (Typ) (MMBR901LT1, T3)

(matched)

NPN SILICON

•

High Power Gain —

= 13.5 dB (Typ) @ f = 1.0 GHz (MRF9011LT1)

= 12.0 dB (Typ) @ f = 1.0 GHz (MMBR901LT1, T3)

pe(matched)

•

Guaranteed RF Parameters (MRF9011LT1)

Surface Mounted SOT–23 & SOT–143 Offer Improved RF Performance

Lower Package Parasitics

High Gain

CASE 318–08, STYLE 6

SOT–23

LOW PROFILE, MMBR901LT1, T3

•

Available in tape and reel packaging options:

T1 suffix = 3,000 units per reel

T3 suffix = 10,000 units per reel

CASE 318A–05, STYLE 1

SOT–143

LOW PROFILE, MRF9011LT1

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

CEO

CBO

EBO

Vdc

2.0

Vdc

Collector Current — Continuous

mAdc

Power Dissipation @ T = 75°C (1)

MMBR901LT1, T3;

MRF9011LT1

0.300

Watt

D(max)

Derate above 25°C

4.00

–55 to +150

150

mW/°C

°C

Storage Temperature Range

Maximum Junction Temperature

THERMAL CHARACTERISTICS

All

stg

°C

J(max)

Characteristic

Symbol

Max

Unit

°C

Storage Temperature

stg

150

Thermal Resistance, Junction to Case

MRF9011LT1, MMBR901LT1, T3

°C/W

θJC

200

DEVICE MARKING

MRF9011LT1 = 01

NOTE:

1. Case temperature measured on collector lead immediately adjacent to body of package.

MMBR901LT1, T3 = 7A

REV 8

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MMBR901LT1, T3 MRF9011LT1

2–1

Motorola, Inc. 1997

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBR901MLT1	MICROSEMI	获取价格	Transistor
MMBR901P	MCC	获取价格	TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
MMBR911	MOTOROLA	获取价格	NPN Silicon High-Frequency Transistor
MMBR911	FOSHAN	获取价格	SOT-23
MMBR911L	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 12V 0.06A 3-Pin SOT-23
MMBR911LT1	MOTOROLA	获取价格	NPN Silicon High-Frequency Transistor
MMBR911LT1	ADPOW	获取价格	NPN SILICON LOW NOISE, HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR
MMBR911LT1G	ADPOW	获取价格	NPN SILICON LOW NOISE, HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR
MMBR911LT3	MOTOROLA	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
MMBR911MLT1	MICROSEMI	获取价格	Transistor

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