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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> MMBR521LT1
MMBR521LT1 PDF预览

MMBR521LT1

更新时间： 2024-11-25 22:10:03
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 155K
描述
HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR PNP SILICON

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MMBR521LT1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.87
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.07 A基于收集器的最大容量：1.5 pF
集电极-发射极最大电压：10 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25最高频带：S BAND
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：0.333 W
最大功率耗散 (Abs)：0.312 W最小功率增益 (Gp)：8 dB
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3400 MHz
Base Number Matches：1

MMBR521LT1 数据手册

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by MMBR521LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
Designed primarily for use in the high–gain, low–noise small–signal  
amplifiers for operation up to 3.5 GHz. Also usable in applications requiring fast  
switching times.  
•
High Current Gain–Bandwidth Product —  
I
= –70 mA  
C
f
T
f
T
= 3.4 GHz (Typ) @ I = –35 mAdc (MMBR521LT1)  
C
HIGH–FREQUENCY  
TRANSISTOR  
= 4.2 GHz (Typ) @ I = –50 mAdc (MRF5211LT1)  
C
•
Low Noise Figure @ f = 1.0 GHz —  
PNP SILICON  
NF  
NF  
= 2.5 dB (Typ) (MMBR521LT1)  
= 2.8 dB (Typ) (MRF5211LT1)  
(matched)  
(matched)  
•
•
•
High Power Gain — G = 11 dB (Typ)  
pe (matched)  
Guaranteed RF Parameters  
Surface Mounted SOT–23 (MMBR521LT1) & SOT–143 (MRF5211LT1)  
Offer Improved RF Performance  
Lower Package Parasitics  
Higher Gain  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23  
•
Available in tape and reel packaging options:  
T1 suffix = 3,000 units per reel  
LOW PROFILE  
(TO–236AA/AB)  
MMBR521LT1  
MAXIMUM RATINGS  
Ratings  
Symbol  
Value  
–10  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
–20  
–2.5  
Power Dissipation (1) T = 75°C,  
P
0.333  
4.44  
W
mW/°C  
C
D(max)  
Derate linearly above T = 75°C @  
All  
All  
C
CASE 318A–05, STYLE 1  
SOT–143  
Collector Current — Continuous  
Maximum Junction Temperature  
Storage Temperature  
I
C
–70  
150  
mA  
°C  
T
Jmax  
LOW PROFILE  
MRF5211LT1  
T
stg  
–55 to +150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Ratings  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
(MMBR521LT1, MRF5211LT1)  
R
225  
°C/W  
θJC  
DEVICE MARKING  
MMBR521LT1 = 7M  
NOTE:  
MRF5211LT1 = 04  
1. CaseTemperatureismeasuredonthecollectorleadclosesttothepackage.Forcase  
temperatures above +75°C: P = (T – T ) / R  
DISP(max) Jmax θJC  
C
REV 7  
Motorola, Inc. 1995  
12345678

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