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MMBR536LT1

更新时间: 2024-10-01 04:51:11
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 49K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, PNP

MMBR536LT1 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.91
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.03 A
集电极-发射极最大电压:10 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.2 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):5500 MHzBase Number Matches:1

MMBR536LT1 数据手册

  

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