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MMBR5179LT1 PDF预览

MMBR5179LT1

更新时间： 2024-09-27 22:26:07
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管射频放大器
页数 文件大小 规格书
2页 51K
描述
RF AMPLIFIER TRANSISTOR NPN SILICON

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MMBR5179LT1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.19其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.05 A基于收集器的最大容量：1 pF
集电极-发射极最大电压：15 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：0.375 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：1400 MHzVCEsat-Max：0.4 V
Base Number Matches：1

MMBR5179LT1 数据手册

 浏览型号MMBR5179LT1的Datasheet PDF文件第2页 
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by MMBR5179LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
Designed for small–signal amplification at frequencies to 500 MHz.  
Specifically packaged for use in thick and thin–film circuits using surface mount  
components.  
•
•
•
High Gain — G = 15 dB Typ @ f = 200 MHz  
pe  
Low Noise — NF = 4.5 dB Typ @ f = 200 MHz  
RF AMPLIFIER  
TRANSISTOR  
NPN SILICON  
Available in tape and reel packaging options:  
T1 suffix = 3,000 units per reel  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
15  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
mAdc  
°C  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
30  
Emitter–Base Voltage  
3.0  
50  
Collector Current — Continuous  
Maximum Junction Temperature  
I
C
T
Jmax  
150  
Power Dissipation, T  
Derate linearly above T  
case  
= 75°C (1)  
= 75°C @  
P
0.375  
5.00  
W
mW/°C  
case  
D(max)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
–55 to +150  
200  
Unit  
°C  
Storage Temperature  
T
stg  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23  
Thermal Resistance Junction to Case  
R
°C/W  
θJC  
DEVICE MARKING  
LOW PROFILE  
(TO–236AA/AB)  
MMBR5179LT1 = 7H  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = 3.0 mAdc, I = 0)  
V
V
V
15  
30  
3.0  
—
—
—
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
C
B
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
Collector–Base Breakdown Voltage (I = 0.001 mAdc, I = 0)  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage (I = 0.01 mAdc, I = 0)  
—
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current (V  
CB  
= 15 Vdc, I = 0)  
I
0.02  
µAdc  
E
CBO  
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain (I = 3.0 mAdc, V  
= 1.0 Vdc)  
Collector–Emitter Saturation Voltage (I = 10 mAdc, I = 1.0 mAdc)  
h
30  
—
—
—
—
—
250  
0.4  
1.0  
—
C
CE  
FE  
V
Vdc  
Vdc  
C
B
CE(sat)  
V
BE(sat)  
Base–Emitter Saturation Voltage (I = 10 mAdc, I = 1.0 mAdc)  
C
B
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS  
Current–Gain — Bandwidth Product  
f
T
—
1,400  
—
MHz  
(I = 5.0 mAdc, V  
= 6.0 Vdc, f = 100 MHz)  
C
CE  
Collector–Base Capacitance (V = 10 Vdc, I = 0, f = 0.1 to 1.0 MHz)  
C
—
—
—
1.0  
—
pF  
dB  
CB  
E
cb  
50 ohm Noise Figure (I = 1.5 mAdc, V  
C
= 6.0 Vdc, R = 50 Ω,  
NF  
4.5  
CE  
S
f = 200 MHz)  
Common–Emitter Amplifier Power Gain  
G
—
15  
—
dB  
pe  
(V  
CE  
= 6.0 Vdc, I = 5.0 mAdc, f = 200 MHz)  
C
NOTE:  
1.Case temperature measured on collector lead immediately adjacent to body of package.  
REV 8  
Motorola, Inc. 1997  
12

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