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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> MMBR5031LT1
MMBR5031LT1 PDF预览

MMBR5031LT1

更新时间： 2024-11-25 22:10:03
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 57K
描述
NPN Silicon High-Frequency Transistor

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MMBR5031LT1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.39Is Samacsys：N
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.02 A
基于收集器的最大容量：1.5 pF集电极-发射极最大电压：10 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：0.3 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：1000 MHz
Base Number Matches：1

MMBR5031LT1 数据手册

 浏览型号MMBR5031LT1的Datasheet PDF文件第2页 
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by MMBR5031LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
Designed for thick and thin–film circuits using surface mount components  
and requiring low–noise, high–gain signal amplification at frequencies to 1.0  
GHz.  
•
•
•
High Gain — G = 17 dB Typ @ f = 450 MHz  
pe  
Low Noise — NF = 2.5 dB Typ @ f = 450 MHz  
RF AMPLIFIER  
TRANSISTOR  
NPN SILICON  
Available in tape and reel packaging options:  
T1 suffix = 3,000 units per reel  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
10  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
mAdc  
°C  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current — Continuous  
Maximum Junction Temperature  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
15  
3.0  
20  
I
C
T
Jmax  
150  
Power Dissipation, T  
Derate linearly above T  
case  
= 75°C (1)  
= 75°C @  
P
0.300  
4.00  
W
mW/°C  
case  
D(max)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
–55 to +150  
250  
Unit  
°C  
Storage Temperature  
T
stg  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23  
Thermal Resistance Junction to Case  
R
°C/W  
θJC  
LOW PROFILE  
(TO–236AA/AB)  
DEVICE MARKING  
MMBR5031LT1 = 7G  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = 1.0 mAdc, I = 0)  
V
V
V
10  
15  
3.0  
—
—
—
—
—
—
—
—
10  
Vdc  
Vdc  
C
B
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
Collector–Base Breakdown Voltage (I = 0.01 mAdc, I = 0)  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage (I = 0.01 mAdc, I = 0)  
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current (V  
CB  
= 6.0 Vdc, I = 0)  
I
nAdc  
E
CBO  
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain (I = 1.0 mAdc, V  
CE  
= 6.0 Vdc)  
h
FE  
25  
—
300  
—
C
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS  
Current–Gain — Bandwidth Product  
f
—
—
1,000  
—
—
MHz  
pF  
T
(I = 5.0 mAdc, V  
C CE  
= 6.0 Vdc, f = 100 MHz)  
Collector–Base Capacitance  
(V = 6.0 Vdc, I = 0, f = 0.1 MHz)  
C
1.5  
cb  
CE  
E
Minimum Noise Figure (I = 1.0 mAdc, V  
C
= 6.0 Vdc, f = 450 MHz)  
NF  
G
—
—
2.5  
17  
—
dB  
dB  
CE  
min  
Common–Emitter Amplifier Power Gain  
25  
pe  
(I = 1.0 mAdc, V  
C CE  
= 6.0 Vdc, f = 450 MHz)  
NOTE:  
1.Case temperature measured on collector lead immediately adjacent to body of package.  
REV 7  
Motorola, Inc. 1995  
12

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