5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.86 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.02 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 10 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 1000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBR5179 | SAMSUNG |
获取价格 |
RF AMPLIFIER TRANSISTOR |
|
| MMBR5179 | FOSHAN |
获取价格 |
SOT-23 |
|
| MMBR5179LT1 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS |
|
| MMBR5179LT1 | MOTOROLA |
获取价格 |
RF AMPLIFIER TRANSISTOR NPN SILICON |
|
| MMBR5179LT3 | MOTOROLA |
获取价格 |
VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 318-07, 3 PIN |
|
| MMBR521L | MOTOROLA |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, PNP, TO-236AB, |
|
| MMBR521LT1 | MOTOROLA |
获取价格 |
HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR PNP SILICON |
|
| MMBR536 | MOTOROLA |
获取价格 |
Transistor |
|
| MMBR536L | MOTOROLA |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
|
| MMBR536LT1 | MOTOROLA |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
