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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.04 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.35 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 1000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBR2857LT1 | MOTOROLA |
获取价格 |
Transistor, |
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| MMBR4957LT1 | MOTOROLA |
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PNP Silicon High-Frequency Transistor |
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| MMBR4957LT3 | MOTOROLA |
获取价格 |
PNP Silicon High-Frequency Transistor |
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| MMBR5031 | MOTOROLA |
获取价格 |
Transistor |
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| MMBR5031LT1 | MOTOROLA |
获取价格 |
NPN Silicon High-Frequency Transistor |
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| MMBR5031LT3 | MOTOROLA |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| MMBR5179 | SAMSUNG |
获取价格 |
RF AMPLIFIER TRANSISTOR |
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| MMBR5179 | FOSHAN |
获取价格 |
SOT-23 |
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| MMBR5179LT1 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS |
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| MMBR5179LT1 | MOTOROLA |
获取价格 |
RF AMPLIFIER TRANSISTOR NPN SILICON |
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